特許
J-GLOBAL ID：201103008158530850
両面回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-094849
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287879
出願日： 2010年04月16日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】高い歩留まりで、貫通孔を有する両面回路基板を製造する。【解決手段】両面回路基板の製造方法が、絶縁基板11を準備することと、絶縁基板11の第1面、第2面側にそれぞれ第1孔13a、第2孔14aを形成することと、第1孔13aと第2孔14aを繋ぐ第3孔15を絶縁基板11内に形成することで貫通孔150を絶縁基板11に形成することと、絶縁基板11の第1面、第2面にそれぞれ導体パターン12a、12bを形成することと、貫通孔150を導電性物質で充填することで導体パターン12aと導体パターン12bとを電気的に接続するためのスルーホール導体160を形成することと、を含む。第1孔13aは絶縁基板11の第1面に径がR1である第1開口13bを有し、第2孔14aは絶縁基板11の第2面に径がR2である第2開口14bを有し、第3孔15の径はR1及びR2より小さい。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
表裏面の一方を第1面、他方を第2面とする基板を準備することと、
前記基板の第1面側に第1孔を形成することと、
前記基板の第2面側に第2孔を形成することと、
前記第1孔と前記第2孔を繋ぐ第3孔を前記基板内に形成することで、前記第1孔と前記第2孔と該第3孔とからなる貫通孔を前記基板に形成することと、
前記基板の第1面に第1の導体回路を形成することと、
前記基板の第2面に第2の導体回路を形成することと、
前記貫通孔を導電性物質で充填することで、前記第1の導体回路と前記第2の導体回路とを電気的に接続するためのスルーホール導体を形成することと、
を含む両面回路基板の製造方法であって、
前記第1孔は前記基板の第1面に径がR1である第1開口を有し、前記第2孔は前記基板の第2面に径がR2である第2開口を有し、前記第3孔の径は前記R1及び前記R2より小さい、
ことを特徴とする両面回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K3/40 E
, H05K3/00 K
, H05K3/00 N
, H05K3/40 K
5E317BB02
, 5E317BB03
, 5E317BB12
, 5E317BB15
, 5E317CC25
, 5E317CC32
, 5E317CC33
, 5E317CD12
, 5E317CD32
, 5E317GG16
