半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144171
特許番号：特許第3555074号
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、フィールドのダミーパターンを配置する場合に、全面に配置された、大きさ一定の複数個の小さいダミーパターンから、細らせ処理したウエルの内側に存在する小さいダミーパターンを残し、残された小さいダミーパターンから、さらに太らせ処理したデバイス領域の内側に存在する小さいダミーパターンを消去した後の、残りの小さいダミーパターンをウェルの内側に配置し、全面に配置された、大きさ一定の複数個の大きいダミーパターンから、太らせ処理したウエルの内側に存在する大きいダミーパターンを消去した後の、残りの大きいダミーパターンをウェルの外側に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：