特許

J-GLOBAL ID：201103008550406203

MOS型半導体集積回路

発明者： 堀内 忠彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-219428
公開番号（公開出願番号）：特開平3-082152
特許番号：特許第2946547号
出願日： 1989年08月25日
公開日（公表日）： 1991年04月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の電源電圧で動作する第1のMOSトランジスタと、前記第1の電源電圧よりも小さな第2の電源電圧で動作し前記第1のMOSトランジスタよりもゲート酸化膜が薄い第2のMOSトランジスタとを、シリコン単結晶基板上に集積化してなるMOS型半導体集積回路において、前記第1及び第2のMOSトランジスタは基板濃度が同じ領域に設けられ、前記第2のMOSトランジスタの基板バイアス電圧は前記第1のMOSトランジスタの基板バイアス電圧より大きいことを特徴とするMOS型半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-058754
  
• 特開昭63-236354