特許
J-GLOBAL ID：201103008580292903

半導体加速度センサ

発明者：
藤井 哲夫

藤井 哲夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 碓氷 裕彦 ,  加藤 大登
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112372
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345985
特許番号：特許第3638470号
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板(8)と、 単結晶シリコンからなり、一体的に変位する第1及び第2の可動電極を自身の端部に有すると共に、所定方向の加速度の作用により前記シリコン基板の表面に対して平行に移動するように前記シリコン基板上に配置された、片持ち梁構造、両持ち梁構造もしくは多数持ち梁構造からなる梁構造(13)と、 単結晶シリコンからなり、前記第1の可動電極の一方向側及び他方向側に夫々対向配置されて前記シリコン基板上に固定された第1及び第2の固定電極(14,15)と、単結晶シリコンからなり、前記第2の可動電極の一方向側及び他方向側に夫々対向配置されて前記シリコン基板上に固定された第3及び第4の固定電極(16,17)と を有し、前記梁構造の移動に伴う前記第1及び第2の可動電極と前記第1及び第3の固定電極との間で夫々構成されるコンデンサの変化、前記第1及び第2の可動電極と前記第2及び第4の固定電極との間で夫々構成されるコンデンサの変化より前記所定方向に作用する加速度を検出する半導体加速度センサであって、 前記第1及び第2の可動電極の表面と、それらに対向する前記第1ないし第4の固定電極の表面とのうちの少なくとも何れか一方は、絶縁体よりなる膜(5)で夫々被覆されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (4件)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/18
FI (4件)：
H01L 29/84 Z ,  G01P 15/12 D ,  G01P 15/125 Z ,  G01P 15/00 K
引用特許：
審査官引用 (30件)
  • 特開昭62-232171
  • 特開昭62-232171
  • 特開昭62-174978
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