特許

J-GLOBAL ID：201103008689558920

半導体装置の製造方法及びその方法によって製造された半導体装置

発明者： 太田 智之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 古溝 聡 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025318
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223587
特許番号：特許第3206583号
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に第1導電型の第1拡散層と第2導電型の第2拡散層を形成する拡散層形成工程と、前記第1拡散層及び第2拡散層上に第1と第2のコンタクトホールをそれぞれ備える絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記第1と第2のコンタクトホールを介して、前記第1拡散層と第2拡散層にコンタクト抵抗低下用の第1導電型のドーパントをそれぞれ注入する第1のドーパント注入工程と、前記第2拡散層から前記第1導電型のドーパントが注入された領域の少なくとも一部を除去する除去工程と、前記第2のコンタクトホールを介して、前記第2拡散層にコンタクト抵抗低減用の第2導電型のドーパントを注入する第2のドーパント注入工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/90 C