特許
J-GLOBAL ID：201103008875535336
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024156
特許番号：特許第3743214号
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に、該半導体基板とは異なる導電形の複数の分離されたウェル領域を形成し、該ウェル領域にそれぞれウェル領域間では分離された少なくとも1本のウェル側給電線を設けると共に、半導体基板に少なくとも1本の基板側給電線を設け、各ウェル側給電線と基板側給電線との間にウェル領域と半導体基板との間を逆バイアスする極性の所定の直流電圧を印加し、ウェル領域及び半導体基板上に形成されたクロック発振回路,ディジタル回路,バイアス電流供給回路及びアナログ回路からなる回路群に給電する半導体集積回路において、
前記回路群は、ウェル領域が互いに異なる前記クロック発振回路及び前記ディジタル回路からなる第1の回路群並びに前記バイアス電流供給回路及び前記アナログ回路からなる第2の回路群を備え、
前記クロック発振回路は前記バイアス電流供給回路から供給されるバイアス電流を受けて該バイアス電流に比例する前記クロック発振回路の内部バイアス電流を生成するカレントミラー回路を備え、
前記第1の回路群の静止時において前記クロック発振回路の前記カレントミラー回路により定常的に流れる消費電流が、前記第2の回路群のウェル側給電線の電位を基板側給電線の電位に等しくすることにより前記バイアス電流供給回路からのバイアス電流供給が停止されて、0になるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
H01L 27/04 U
, H01L 27/08 321 B
