特許

J-GLOBAL ID：201103008985698036

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 秀樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-193397
公開番号（公開出願番号）：特開平3-058413
特許番号：特許第2531271号
出願日： 1989年07月26日
公開日（公表日）： 1991年03月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェハの表面上にフォトレジスト膜を所定のパターンで形成する工程と、前記半導体ウェハをその面に垂直の方向を回転軸として回転させながら前記半導体ウェハの表面に対して傾斜方向から金属をスパッタリングして前記フォトレジスト膜上に金属膜を形成する工程と、エッチングにより前記フォトレジスト膜の側壁に形成された金属膜を除去して前記フォトレジスト膜の表面上に金属膜を残留させる工程と、前記金属膜及び前記フォトレジスト膜をマスクとして半導体ウェハ表面にイオン注入する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/266 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/265 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/265 N