特許
J-GLOBAL ID：201103009114011798
半導体装置と回路基板との接続構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-247260
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096752
出願日： 2009年10月28日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】 25GHz以上の高周波信号であっても接続部でのインピーダンスの不整合を小さくして良好に伝送させることができる半導体装置と回路基板との接続構造を提供することにある。 【解決手段】 半導体装置の金属基体1が貫通孔2aに封止材3が充填されて信号端子4が固定された第1領域と、第1領域と回路基板との間の第2領域とからなり、第2領域は、信号端子4が通る、貫通孔2aより径の小さいエア同軸用貫通孔2bと、エア同軸用貫通孔2bの近傍から回路基板側に向かって信号端子4にかぶさるように突出した屋根状部2bとを有しており、信号端子4は貫通孔2aからエア同軸用貫通孔2bを通って回路基板側に突出して、屋根状部2bの内側で信号配線導体3aに接続されている半導体装置と回路基板との接続構造。エア同軸構造により信号の変化率が緩やかになって伝送損失が小さくなるので、高周波を伝送することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属基体を貫通する貫通孔内に充填された封止材を貫通するとともに前記金属基体から突出して固定された信号端子を有する半導体装置の前記信号端子と、主面に信号配線導体が形成された回路基板の前記信号配線導体とを接続する半導体装置と回路基板との接続構造であって、前記金属基体は前記貫通孔に前記封止材が充填されて前記信号端子が固定された第1領域と、該第1領域と前記回路基板との間の第2領域とからなり、該第2領域は、前記信号端子が通る、前記貫通孔より径の小さいエア同軸用貫通孔と、該エア同軸用貫通孔の近傍から前記回路基板側に向かって前記信号端子にかぶさるように突出した屋根状部とを有しており、前記信号端子は前記貫通孔から前記エア同軸用貫通孔を通って前記回路基板側に突出して、前記屋根状部の内側で前記信号配線導体に接続されていることを特徴とする半導体装置と回路基板との接続構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 301C
, H01L23/02 H
