特許

J-GLOBAL ID：201103009318146803

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 小林 嘉仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181362
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035238
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】テンプレートを剥離する際に破壊されにくいパターン形成方法及びこのパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、第1の感光剤及び第2の感光剤を含有した未硬化のインプリント剤2を塗布し、このインプリント剤2にテンプレート3を押し付ける。そして、インプリント剤2にテンプレート3を押し付けたまま、波長が365nmの光を照射し、第1の感光剤を反応させて、インプリント剤2を半硬化状態とする。次に、テンプレート3をインプリント剤2から剥離する。次に、波長が248nmの光を照射し、第2の感光剤を反応させて、インプリント剤2を全硬化状態とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の硬化剤及び第2の硬化剤を含有した未硬化のインプリント剤を塗布する工程と、 前記インプリント剤にテンプレートを押し付ける工程と、 前記インプリント剤に前記テンプレートを押し付けたまま、前記第1の硬化剤を反応させる工程と、 前記テンプレートを前記インプリント剤から剥離する工程と、 前記第2の硬化剤を反応させる工程と、 を備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z

Fターム (17件)：

4F209AA36 ,  4F209AA43 ,  4F209AA44 ,  4F209AB03 ,  4F209AB04 ,  4F209AD08 ,  4F209AF01 ,  4F209AG03 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH36 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 曲面パネルの製造方法、その施工方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-203790   出願人：日本ホーバス株式会社, 株式会社サンレック