特許

J-GLOBAL ID：201103009383864004

電力用半導体モジュール

発明者： 大西 祐史 ,  鳥取 雅洋
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-295850
特許番号：特許第3667554号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】同一基板上に絶縁物を介して、交流電源を整流する整流回路を構成するダイオードチップと,上記整流回路の一方の出力に設けられたサイリスタと,分離層を介して上記サイリスタと並列に抵抗とを形成した第1複合半導体チップとを搭載した電力用半導体モジュール。

IPC (6件)：

H02M 7/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/74 ,  H02M 7/12 ,  H02M 7/155

FI (5件)：

H02M 7/04 Z ,  H02M 7/12 N ,  H02M 7/155 F ,  H01L 27/04 R ,  H01L 29/74 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-372585
  
• 特開昭58-169951
  
• 特開昭57-183127
  
• 特開昭56-111259
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-372585
  
• 特開昭58-169951
  
• 特開昭57-183127
  
• 特開昭56-111259