特許
J-GLOBAL ID：201103009416178470
圧接型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-553929
特許番号：特許第3571354号
出願日： 1999年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】表面にゲート電極及びカソード電極を形成するとともに、裏面にアノード電極が形成された半導体基体と、上記半導体基体を内包した絶縁筒と、上記ゲート電極に当接するリングゲート電極と、外周部が上記絶縁筒の側方から突出するとともに上記絶縁筒に固着され、内周部が上記リングゲート電極と当接する外部ゲート端子とを備えた圧接型半導体素子、上記外部ゲート端子と電気的に接続された外部の制御装置に接続可能な制御ゲート電極、上記外部ゲート端子と同心に配設され、上記外部ゲート端子と上記制御ゲート電極とが電気的に接続された接続部を押圧する弾性体を有する支持部材、上記圧接型半導体素子を圧接するとともに上記支持部材を支持するスタック電極を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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