半導体メモリ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-138664
公開番号（公開出願番号）：特開平2-078096
特許番号：特許第2605867号
出願日： 1989年05月30日
公開日（公表日）： 1990年03月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のメモリセルと、一対のデータ線と、アドレスデータに応答して一つのメモリセルを選択し当該選択したメモリセルの記憶データに応じて前記一対のデータ線間に電位差を生じせしめる手段と、一対の端子を有しこれら端子間の電位差に応答して該一対の端子の一方を放電するセンスアンプと、このセンスアンプの前記一対の端子と前記一対のデータ線との間に設けられ上記一対のデータ線の電位差を上記一対の端子間に伝達すると共に上記センスアンプが一方の端子を放電し始めたことに応答して当該端子を対応するデータ線から電気的に切り離す手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリ回路。

IPC (1件)：