特許
J-GLOBAL ID:201103009627296127

配線構造および配線の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-354441
公開番号(公開出願番号):特開2001-176873
特許番号:特許第3526252号
出願日: 1999年12月14日
公開日(公表日): 2001年06月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 絶縁膜に形成されたコンタクトホールの内面に堆積した第一の導電体と、前記コンタクトホール内部に前記第一の導電体を介して埋め込まれた第二の導電体と、前記絶縁膜上および前記コンタクトホール上に堆積した高融点金属またはその化合物からなる第三の導電体と、この第三の導電体表面を弗化することで形成された弗化層と、この弗化層上に堆積したアルミニウム合金からなる主配線材料とを備えた配線構造。
IPC (2件):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (3件):
H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

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