半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-203961
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054843
出願日： 2009年09月03日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】EOTを小さく保ちつつ、より高い実効仕事関数を有する半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、半導体基板101のn型活性領域103の上に形成された第1のゲート絶縁膜107と、第1のゲート絶縁膜107の上に形成された第1のゲート電極111とを有している。第1のゲート絶縁膜107は、ハフニウム及びアルミニウムを含み、且つ中央部において上部及び下部よりもアルミニウムの濃度が高い。第1のゲート電極111はチタンを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された第1のトランジスタを備え、前記第1のトランジスタは、前記半導体基板のn型活性領域の上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の上に形成された第1のゲート電極とを有し、前記第1のゲート絶縁膜は、ハフニウム及びアルミニウムを含み、且つ上部及び下部において中央部よりもアルミニウムの濃度が高く、前記第1のゲート電極は、チタンを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/49 , H01L 29/423 , H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/786

FI (10件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/283 C , H01L21/28 301R , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 613A

Fターム (87件)：

4M104AA01 , 4M104BB30 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF10 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BG08 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140CB04 , 5F140CB08

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