特許
J-GLOBAL ID：201103010198687013
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-321622
公開番号（公開出願番号）：特開平2-202022
出願日： 1989年12月13日
公開日（公表日）： 1990年08月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体層が結晶質半導体材料の第1領域に加えて結晶質の少い材料の第2領域を有し、両領域を化学的に活性のガス周囲雰囲気中で輻射エネルギーに曝露して第2領域を第1領域に対して優先的にエッチング除去して半導体装置を製造するに当り、第2領域がほぼ非晶質材料から成り、輻射エネルギーが少くとも1つの紫外波長から成り、紫外輻射エネルギーがガス周囲雰囲気中で弱く吸収されて周囲雰囲気中で化学的活性基を生成し、半導体層に強く吸収されて第1領域の結晶質材料より第2領域の非晶質材料を一層強力に直接加熱し、これにより化学的活性基を有する非晶質材料を化学的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
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