特許

J-GLOBAL ID：201103010236522970

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器

発明者： 萬田 周治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-191031
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044544
出願日： 2009年08月20日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】感度を維持しつつ埋込フォトダイオードおよび表面ダイオードとフローティングディフュージョンとの間の転送特性の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板3の表面側に表面フォトダイオード5とフローティングディフュージョン7とを備えている。これよりも深い位置の半導体基板3部分には埋込フォトダイオード9が設けられている。表面フォトダイオード5とフローティングディフュージョン7との間から埋込フォトダイオード9に達して設けられた孔部3aに、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極15を埋め込んでなる縦型の転送ゲートGが設けられている。そして特に、孔部3aの上方角部A5,A7および下方角部B5,B7の曲率は、表面フォトダイオード5側よりもフローティングディフュージョン7側の方が小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に設けられた表面フォトダイオードと、 前記半導体基板の表面側に設けられたフローティングディフュージョンと、 前記表面フォトダイオードおよび前記フローティングディフュージョンよりも深い位置の前記半導体基板部分に設けられた埋込フォトダイオードと、 前記表面フォトダイオードと前記フローティングディフュージョンとの間から前記埋込フォトダイオードに達して設けられた孔部に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んでなる転送ゲートとを備え、 前記孔部の上方角部および下方角部の曲率は、前記表面フォトダイオード側よりも前記フローティングディフュージョン側の方が小さい 固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 B ,  H04N5/335 U

Fターム (19件)：

4M118AA03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA24 ,  4M118DA03 ,  4M118DA20 ,  4M118DA34 ,  4M118DD04 ,  4M118DD08 ,  4M118EA17 ,  4M118EA20 ,  4M118GA02 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024HX12