特許

J-GLOBAL ID：201103010419395373

半導体ヘテロ電界効果トランジスタ

発明者： 木山 誠 ,  岡田 政也 ,  上野 昌紀
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230881
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082218
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】ピエゾ電界により発生するシートキャリアの利用とチャネル部におけるピエゾ電界により深いディプレッション形成の抑制とを提供できる半導体ヘテロ電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】第1及び第3の領域23a、23cの主面24a、24cの法線ベクトルNV1、NV3は、該III族窒化物半導体のc軸Cxに直交する面に対して有限な角度で傾斜する。第2の領域23bの主面24bの法線ベクトルNV2は、該III族窒化物半導体のc軸Cxに直交する面に沿って延在する。第2の領域23bにおけるチャネル層25の第2の領域25bのピエゾ分極PZC2は、III族窒化物半導体領域23からバリア層27への方向に向いている。第1及び第3の領域23a、23cにおけるチャネル層25の第1及び第3の領域25a、25cのピエゾ分極PZC1、PZC3は、バリア層27からIII族窒化物半導体領域23への方向に向いている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体ヘテロ電界効果トランジスタであって、 自立の支持基体上に設けられた第1、第2及び第3の領域を有するIII族窒化物半導体領域と、 前記III族窒化物半導体領域の主面上に設けられたチャネル層及びバリア層を含む半導体積層と、 前記半導体積層の主面上に設けられた第1の電極と、 前記半導体積層の主面及び前記第2の領域上に設けられた第2の電極と、 前記半導体積層の主面上に設けられた第3の電極と を備え、 前記第1の電極は、ドレイン電極及びソース電極の一方であり、前記第1の領域上の前記チャネル層を介して前記第2の領域上の前記チャネル層に電気的に接続され、 前記第3の電極はドレイン電極及びソース電極の他方であり、前記第3の領域上の前記チャネル層を介して前記第2の領域上の前記チャネル層に電気的に接続され、 前記第1および第3の領域の主面の法線軸は、該III族窒化物半導体のc軸に沿って延びる基準軸に直交する面及び前記III族窒化物半導体領域の無極性面に沿って延在する面に対して有限な角度で傾斜し、 前記第2の領域の主面は、前記第1及び第3の領域の主面に対して傾斜し、 前記チャネル層は前記III族窒化物半導体領域と第1のヘテロ接合を成すと共に、前記チャネル層は前記バリア層と第2のヘテロ接合を成し、前記チャネル層は圧縮歪みを内包して、前記第2の領域における前記チャネル層のピエゾ分極の方向は前記第2のヘテロ接合に向いており、前記第1及び第3の領域における前記チャネル層のピエゾ分極は前記バリア層から前記III族窒化物半導体領域への方向に向いている、ことを特徴とする半導体ヘテロ電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301Q

Fターム (27件)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB05 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AC28 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA20 ,  5F140BB02 ,  5F140BB03 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49