特許
J-GLOBAL ID：201103010590032670
電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社
セイコーエプソン株式会社 について
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 , 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246561
公開番号（公開出願番号）：特開2001-075504
特許番号：特許第3697964号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板に、複数の画素電極と、 該画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、 該薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、 前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を構成する半導体層と、 該半導体層の上方に形成されている前記薄膜トランジスタのゲート電極と、 前記ゲート電極の上方に形成された第1層間絶縁膜と、 前記データ線の下方であって前記第1層間絶縁膜の上方に形成された第2層間絶縁膜とを具備し、 前記半導体層の前記基板側に、前記半導体層と対向するように配設された高融点金属からなる第1遮光膜と、 前記データ線の下方であって前記第1層間絶縁膜上に前記ゲート電極を覆うように配設され、かつ少なくとも前記半導体層の前記チャネル領域と対向するように島状に配設された高融点金属からなる第2遮光膜とを有し、 前記第1層間絶縁膜の膜厚は前記第2層間絶縁膜よりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
IPC (3件)：
FI (3件)：
引用特許：
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