特許
J-GLOBAL ID：201103010800893886

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213092
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066048
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。【解決手段】発光素子100は、p型層104のp電極103と接合している側の表面には、溝108が形成されている。この溝108は、p型層104、活性層105を貫通し、n型層106に達する深さである。溝108の側面は、p型層104からn型層106に向かうにつれ素子面方向の断面積が減少するよう傾斜している。溝108の底面に接し、溝108の側面には接しないよう補助電極109が形成されている。また、溝108の側面、補助電極109の形成されていない溝108の底面、補助電極109に連続してSiO2 からなる絶縁膜110が形成されている。補助電極109により電流拡散性が向上するため、n電極の面積を低減して光取り出し効率を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記p型層の前記p電極側表面から前記n型層に達する深さの溝と、 前記溝の底面である前記n型層に接し、前記溝の側面には接しない補助電極と、 前記補助電極、および前記溝の底面、側面を覆う透光性を有した絶縁膜と、 を有する、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/38 ,  H01L 33/40
FI (3件)：
H01L33/00 186 ,  H01L33/00 210 ,  H01L33/00 220
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB04 ,  5F041CB15
引用特許：
審査官引用 (8件)
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