特許
J-GLOBAL ID：201103010927953241
光半導体装置、リードフレームおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 司朗
, 小林 国人
, 川畑 孝二
, 木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-077043
公開番号（公開出願番号）：特開2011-210946
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】リフレクタ接合部の密着強度の低下を抑制すると共に、封止部の黒褐色化を抑制し、素子の発光強度低下が抑制可能なリードフレームを提供する。【解決手段】リードフレーム110は、光半導体装置100の構成要素であり、透明性の封止部180を囲繞するリフレクタ170を配設する領域を表面に有している。このリードフレーム110は、リードフレーム本体部111の表面上に、多層下地皮膜120と、多層上地銀皮膜130とがこの順で積層されている。多層上地銀皮膜130は、リフレクタ170が接合される領域では、不純物原子濃度が0.1%以下の第1上地銀皮膜131からなり、封止部180が接合される領域では、ゲルマニウムの原子濃度がビスマスの原子濃度を上回る第2上地銀皮膜132が第1上地銀皮膜131の上に積層されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光半導体の構成要素であり、透明性の封止部及び該封止部を囲繞するリフレクタが配設される領域を有するリードフレームであって、
リードフレーム本体部の表面上に、下地皮膜と、不純物を含む多層銀皮膜とがこの順で積層され、
前記多層銀皮膜において、
前記リフレクタと接合する領域を第1領域、前記封止部と接合する第2領域とするとき、
第1領域には意図的な不純物を介さず、
第2領域においては、不純物元素としてゲルマニウム及びビスマスを含み、ゲルマニウムの原子濃度がビスマスの原子濃度を上回っていることを特徴とするリードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 440
, H01L33/00 432
5F041AA14
, 5F041AA43
, 5F041DA07
, 5F041DA17
, 5F041DA22
, 5F041DA26
, 5F041DA45
