特許

J-GLOBAL ID：201103011088418404

配線基板およびその実装構造体

発明者： 大吉 隆文 ,  山中 公博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-123924
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249711
出願日： 2010年05月31日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】 本発明は、電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。【解決手段】 本発明の一形態にかかる配線基板3は、基体11と、該基体11の上面側のみに積層された複数の絶縁層14と、基体11の下面に部分的に形成された第1接続パッド7aと、基体11と該基体11に隣接する絶縁層14との間に部分的に形成された第1導電層10aと、隣接した絶縁層14同士の間に部分的に形成された第2導電層10bと、最上層に位置する絶縁層14の上面に部分的に形成された第2接続パッド7bと、を備え、基体11および絶縁層14の平面方向の熱膨張率は、第1接続パッド7a、第1導電層10a、第2導電層10bおよび第2接続パッド7bの平面方向の熱膨張率よりも小さく、絶縁層14の平面方向の熱膨張率は、基体11の平面方向の熱膨張率よりも小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、該基体の上面側のみに積層された複数の絶縁層と、前記基体の下面に部分的に形成された第1接続パッドと、前記基体と該基体に隣接する前記絶縁層との間に部分的に形成された第1導電層と、隣接した前記絶縁層同士の間に部分的に形成された第2導電層と、最上層に位置する前記絶縁層の上面に部分的に形成された第2接続パッドと、を備え、 前記基体および前記絶縁層の平面方向の熱膨張率は、前記第1接続パッド、前記第1導電層、前記第2導電層および前記第2接続パッドの平面方向の熱膨張率よりも小さく、 前記絶縁層の平面方向の熱膨張率は、前記基体の平面方向の熱膨張率よりも小さいことを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/02

FI (3件)：

H05K3/46 B ,  H05K1/02 J ,  H05K1/02 E

Fターム (24件)：

5E338AA16 ,  5E338CC09 ,  5E338CD15 ,  5E338EE28 ,  5E346AA02 ,  5E346AA22 ,  5E346BB20 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD16 ,  5E346DD17 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346EE08 ,  5E346EE09 ,  5E346EE33 ,  5E346EE38 ,  5E346FF04 ,  5E346FF17 ,  5E346HH11 ,  5E346HH16