特許

J-GLOBAL ID：201103011103689347

単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置

発明者： 渡邉 英樹 ,  森田 洋
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132846
特許番号：特許第3065076号
出願日： 1999年05月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単結晶の引き上げ方法において、前記種結晶を前記溶融液に接触させた後、補助加熱手段を用いて前記種結晶と前記溶融液との界面近傍を加熱しながら、さらに前記種結晶を前記溶融液に漬け込み、前記補助加熱手段による加熱を停止した後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/30

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/30