特許
J-GLOBAL ID:201103011253413692

試料中の被検出物質の検出方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武 顕次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-238822
公開番号(公開出願番号):特開2011-064692
出願日: 2010年10月25日
公開日(公表日): 2011年03月31日
要約:
【課題】従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。【解決手段】基板1と、基板1の上面に形成した第1の絶縁薄膜2上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極3およびドレイン電極4を有するチャネルを備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法であって、チャネルが超微細繊維で構成され、基板1のチャネルとは反対側の面に第2の絶縁薄膜が形成され、第2の絶縁薄膜の外側にバックゲート電極8を設けて、第2の絶縁薄膜がヘマグルチニンで修飾され、その修飾箇所とバックゲート電極8の間に試料溶液を介在して、バックゲート電極8にゲート電圧を印加し、ソース電極3とドレイン電極4の間に流れる電流値の変化により、試料中のヘマグルチニンと相互作用する物質を検出する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
基板と、その基板の上面に形成した第1の絶縁薄膜上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極およびドレイン電極を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、 前記チャネルが超微細繊維で構成され、 前記基板の前記チャネルとは反対側の面に第2の絶縁薄膜が形成され、その第2の絶縁薄膜の外側にバックゲート電極を設けて、前記第2の絶縁薄膜がヘマグルチニンで修飾され、その修飾箇所と前記バックゲート電極の間に前記試料を介在して、 前記バックゲート電極にゲート電圧を印加し、前記ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流値の変化により、前記試料中の前記ヘマグルチニンと相互作用する物質を検出することを特徴とする試料中の被検出物質の検出方法。
IPC (4件):
G01N 27/414 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06
FI (9件):
G01N27/30 301V ,  H01L29/78 625 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/66 S ,  H01L29/06 601N ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/30 301N ,  G01N27/30 301K
Fターム (20件):
5F110AA30 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD18 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02

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