特許

J-GLOBAL ID：201103011384995468

共形HリッチSi3N4層の形成方法

発明者： クリストフ・バルサン ,  コリンヌ・ビューシェ ,  パトリック・ラファン ,  ステァーヌ・ティオリエール
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223877
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110673
特許番号：特許第3436263号
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】パターニングされた構造上に共形HリッチSi3N4層を付着させる方法であって、a)薄いSiO2ゲート層で覆われたシリコン基板と、前記シリコン基板の上に形成されたゲート導体(GC)線とから成る構造であって、隣接する2本のGC線間に形成された少なくとも1つの拡散領域を有するパターニングされた構造を用意する段階と、b)前記構造上に共形HリッチSi3N4層を、高速熱化学蒸着(RTCVD)リアクタ中でSi前駆体ベースのケミストリを使用して温度600〜950°C、圧力50〜200Torrの範囲で付着させる段階とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 27/10 625 A