特許
J-GLOBAL ID：201103011385178196
温度測定用サンプルの作成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349875
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232142
特許番号：特許第3272706号
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板のアモルファス領域を一定時間加熱してアモルファス領域が再結晶化する回復レートを求め、予め準備されている上記アモルファス領域の回復レートと加熱温度との関係に基づいて、上記加熱時におけるアモルファス領域の温度を測定するための温度測定用サンプルを作成する方法であって、基板の半導体領域内に形成されたアモルファス領域中に、上記加熱時に回復レートを加熱の開始時からほぼ一定にするための臨界濃度で酸素をドープすることを特徴とする温度測定用サンプルの作成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01K 11/00
, H01L 21/205
, H01L 21/302
H01L 21/66 T
, G01K 11/00 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/302 Z
