特許
J-GLOBAL ID:201103011473279350
有機EL装置及びその設計方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
廣田 浩一
, 流 良広
, 松田 奈緒子
, 池田 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-162988
公開番号(公開出願番号):特開2011-018583
出願日: 2009年07月09日
公開日(公表日): 2011年01月27日
要約:
【課題】光取出し効率が高く、かつ画像のにじみが少ない有機EL装置及び有機EL装置の設計方法の提供。【解決手段】陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む有機EL表示部と、前記発光層から発光される光の光路を制御する略四角錐プリズムと、を少なくとも有し、前記略四角錐プリズムを光取り出し面に設けたときの正面輝度での光取り出し効率Aと、前記略四角錐プリズムを光取り出し面に設けないときの正面輝度での光取り出し効率Bとの比(A/B)が1を超え、かつ前記正面輝度での光取り出し効率において、前記略四角錐プリズムの1辺の長さbと、前記略四角錐プリズムの高さhとの比(h/b)が1.2以下である有機EL装置とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む有機EL表示部と、前記発光層から発光される光の光路を制御する略四角錐プリズムと、を少なくとも有し、
前記略四角錐プリズムを光取り出し面に設けたときの正面輝度での光取り出し効率Aと、前記略四角錐プリズムを光取り出し面に設けないときの正面輝度での光取り出し効率Bとの比(A/B)が1を超え、かつ前記正面輝度での光取り出し効率において、前記略四角錐プリズムの1辺の長さbと、前記略四角錐プリズムの高さhとの比(h/b)が1.2以下であることを特徴とする有機EL装置。
IPC (3件):
H05B 33/02
, H05B 33/24
, H01L 51/50
FI (3件):
H05B33/02
, H05B33/24
, H05B33/14 A
Fターム (15件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107BB06
, 3K107BB07
, 3K107BB08
, 3K107CC05
, 3K107CC14
, 3K107CC31
, 3K107DD10
, 3K107DD22
, 3K107EE30
, 3K107FF06
, 3K107FF12
, 3K107FF15
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