単結晶体の欠陥除去方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082953
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174029
特許番号：特許第3899725号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン単結晶体(11)をこのシリコン単結晶体(11)の安定な雰囲気下、0.2〜304MPaの圧力でこのシリコン単結晶体(11)の絶対温度による融点の0.85倍以上の温度で5分間〜20時間、熱間等方圧加圧処理を行った後に徐冷することを特徴とする単結晶体の欠陥除去方法。

IPC (2件)：