特許
J-GLOBAL ID：201103012394325203
レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260718
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083460
特許番号：特許第4295870号
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光軸に垂直な面内で発光パターンがストライプ状になる第1平行光束及び第2平行光束を偏光ビームスプリッタの偏光膜の表面及び裏面にそれぞれ入射し、前記第1平行光束及び前記第2平行光束の合成光を出射するレーザ装置において、
前記第1平行光束として、そのストライプの長手方向に振動する第1電界成分を有するものを、前記第1電界成分が前記偏光膜の表面に対しp偏光となるよう前記偏光ビームスプリッタに入射する第1光入射手段と、
前記第2平行光束として、そのストライプの長手方向に垂直な方向に振動する第2電界成分を有するものを、前記第2電界成分が前記偏光膜の裏面に対しs偏光となるよう前記偏光ビームスプリッタに入射する第2光入射手段と、
を備え、
前記偏光膜の表面及び裏面が共にフラット面に垂直になるように、前記偏向ビームスプリッタは前記フラット面上に配置されており、
前記第1光入射手段の前記偏向膜への出射光軸と、前記第2光入射手段の前記偏向膜への出射光軸とは直交しており、
前記第1及び第2光入射手段のそれぞれは、
前記フラット面に垂直な方向に沿ってプレート状の複数の半導体レーザアレイが積層された半導体レーザアレイスタックからなり、前記半導体レーザアレイスタックからは、前記フラット面に垂直な方向に並んだ複数の平面状のレーザ光が出射され、このレーザ光の光軸に垂直な面内で発光パターンがストライプ状となる光源と、
前記半導体レーザアレイスタックから出射されるレーザ光束の前記フラット面に垂直な方向の広がりを抑えて平行光化するために、それぞれの前記半導体レーザアレイの出射側に配置される複数のシリンドリカルレンズと、
を備え、
前記偏光膜において、前記第1平行光束と前記第2平行光束のストライプが互いに平行になり、前記偏光膜を透過する前記第1平行光束のストライプと、前記偏光膜の裏面で反射される第2平行光束のストライプとが互いに交差することなく合成されるよう、前記第1平行光束のストライプが前記フラット面に垂直な方向に配列され、前記第2平行光束のストライプが前記フラット面に垂直な方向に配列されている、
ことを特徴とするレーザ装置。
IPC (2件)：
G02B 27/28 ( 200 6.01)
, H01S 5/022 ( 200 6.01)
G02B 27/28 Z
, H01S 5/022
