特許
J-GLOBAL ID：201103012614121140
改良型太陽光発電回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
岡部 讓
, 加藤 伸晃
, 岡部 正夫
, 朝日 伸光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-531760
特許番号：特許第4668412号
出願日： 1999年01月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 固体太陽光発電回路を作製する方法であって、該方法は、a. 既定の導電率形を有する単結晶のシリコン基板を提供する段階と、b. 前記基板に複数の誘電体分離が施された個々のタブを形成する段階と、c. 前記シリコン基板とは逆の導電率形を有する第1のドーパントにより前記タブをドーピングし、i.活性化放射線に反応する複数の太陽光フォトダイオードと、 ii.通常オン状態であることを特徴とする電界効果トランジスタ(FET)のソース端子およびドレイン端子とを画定する段階と、d.前記タブのうち少なくとも一つのタブのドーピングが施された材料の一部を選択的に取り除き、i.単結晶のシリコン抵抗器と、ii.前記FETのソース端子とドレイン端子を電気的に接続するチャネルとを画定する段階と、e.前記チャネルと前記抵抗器を第2のドーパントでドーピングすることにより、前記FETの所望のしきい値電圧と前記抵抗器の所望のインピーダンスを確立する段階と、f.前記FETのゲート端子を画定する段階において、前記ゲート端子が、前記ソース端子と前記ドレイン端子から誘電体分離が施される段階と、g.前記フォトダイオード、前記FETの前記端子、および前記抵抗器の電気的接触領域を画定し、前記フォトダイオードと、前記FETと、前記抵抗器を電気的に接続する段階と、h.電気的導電性材料を前記電気的接触領域に蒸着する段階と、i.前記太陽光発電回路に熱処理を施して、前記電気的導電性材料と下層シリコンとの接着を促進する段階と、j.前記回路の封入およびパッシベーションを施す段階とを含む方法。
IPC (7件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 27/14 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 31/12 ( 200 6.01)
, H03K 17/78 ( 200 6.01)
H01L 27/04 R
, H01L 21/302
, H01L 27/14 Z
, H01L 31/10 A
, H01L 31/12 G
, H03K 17/78 H
