特許

J-GLOBAL ID：201103012685153728

抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 茶谷 雅夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228496
特許番号：特許第3178525号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に絶縁膜を介して幅が異なる複数個の抵抗素子が一方向に配置されて形成された抵抗素子パターンを有し、前記抵抗素子のシート抵抗(ρs)が前記抵抗素子の幅と相関を持ち、前記抵抗素子の前記幅により異なることを特徴とする抵抗素子を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-166757