特許
J-GLOBAL ID:201103012847958644

エナメル線の焼付方法及び焼付装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山野 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-197346
公開番号(公開出願番号):特開2011-049072
出願日: 2009年08月27日
公開日(公表日): 2011年03月10日
要約:
【課題】加熱効率が良く、エネルギーロスの小さいエナメル線の焼付方法及び焼付装置を提供する。【解決手段】焼付装置は、焼付室、絶縁ワニス槽、塗布ダイス、冷却室及びプーリーを備える。焼付室10は、マイクロ波発生装置110、導波管100及びショートプランジャー120を備え、導波管100の一端側にマイクロ波発生装置110が接続され、その他端側にショートプランジャー120が設置されている。導波管100の上下面には、導体2の挿通路となる2つの貫通孔、導入口101と排出口102とが設けられており、導波管100の内部には、導入口101から排出口102に亘るように誘電体からなる挿通管103が配置されている。また、ショートプランジャー120が、導入口101(挿通管103)の軸中心から導波管100の他端側に(2n-1)λ/4(n:自然数、λ:マイクロ波の波長)の距離L離れた位置に配置されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
導体上に絶縁ワニスを塗布する塗布工程と、 塗布した絶縁ワニスを焼付する焼付工程とを備え、 前記焼付工程では、前記絶縁ワニスを塗布した導体にマイクロ波を照射して加熱を行うことを特徴とするエナメル線の焼付方法。
IPC (2件):
H01B 13/16 ,  H01B 13/00
FI (2件):
H01B13/16 B ,  H01B13/00 517
Fターム (3件):
5G325KA02 ,  5G325KB19 ,  5G325KB24

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