特許

J-GLOBAL ID：201103012948548463

半導体力学量センサの製造方法

発明者： 山本 敏雅 ,  武藤 浩司 ,  彼末 将和 ,  浅海 一志 ,  深田 毅
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社日本自動車部品総合研究所
代理人 (2件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243977
特許番号：特許第3577566号
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】支持基板(2)上に電気的に絶縁された状態で支持され、力学量の作用に応じて変化する半導体材料製の可動電極(10a、10b)と、前記支持基板上に電気的に絶縁された状態で支持され、前記可動電極と所定空隙を存して対向配置された半導体材料製の固定電極(4b、5b)とを備えた半導体力学量センサの製造方法において、最終的に前記支持基板となる第1半導体層(14a)上に絶縁層(14c)を介して第2半導体層(14b)を積層した状態の半導体基板(14)を用意し、前記第2半導体層に前記可動電極及び前記固定電極を画定するためのトレンチ(16)を前記絶縁層に達するように形成するトレンチ形成工程と、前記第1半導体層における前記可動電極及び前記固定電極の形成領域に対応した部分を前記絶縁層と反対側の面からウエットエッチングすると共に、そのエッチング領域の第1半導体層の膜厚があらかじめ設定した膜厚となった時点でエッチング停止する第1のエッチング工程と、この第1のエッチング工程の実行に応じて残存された前記設定膜厚の第1半導体層を気相雰囲気でエッチングすることにより除去して前記絶縁層を露出させる第2のエッチング工程と、気相雰囲気でのエッチングにより前記絶縁層を除去することにより、前記トレンチと連続した状態の開口部を形成して前記可動電極及び前記固定電極を形成する電極形成エッチング工程と、前記可動電極及び前記固定電極の表面に疎水性の薄膜(17)を形成する薄膜形成工程と、を備えることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/14 K ,  G01P 15/125 Z ,  H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/306 B