特許

J-GLOBAL ID：201103013209976534

イオンミキシング法によるセラミックス表面への金属膜形成法

発明者： 角谷 透 ,  伊形 明子 ,  千田 中哉 ,  松浦 正道
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-296091
公開番号（公開出願番号）：特開平3-159978
特許番号：特許第2743201号
出願日： 1989年11月16日
公開日（公表日）： 1991年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属蒸発源からの蒸発金属およびイオンビーム源からの高速イオンビームをセラミックス基板に照射して、該セラミックス基板上に金属薄膜を形成させるイオンミキシング法による金属膜形成法において、前記セラミックス基板を構成する複数の元素のうち少なくとも1つの成分元素と化合物を形成することが出来る金属元素を高速イオンビームにして前記セラミックス基板に照射させるようにしたことを特徴とするイオンミキシング法によるセラミックス表面への金属膜形成法。

IPC (3件)：

C04B 41/88 ,  C23C 14/18 ,  H01B 5/14

FI (3件)：

C04B 41/88 J ,  C23C 14/18 ,  H01B 5/14 Z