特許

J-GLOBAL ID：201103013464088871

半導体装置

発明者： 本田 裕己 ,  山口 泰男 ,  山口 偉久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-329929
公開番号（公開出願番号）：特開平3-190124
出願日： 1989年12月19日
公開日（公表日）： 1991年08月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板表面に形成された不純物拡散層と、前記不純物拡散層を覆うように形成され、前記不純物拡散層の所定領域を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、前記不純物拡散層の所定領域以外の前記不純物拡散層の領域の表面に直接接触するように形成された金属硅化物層と、前記コンタクトホール内において前記不純物拡散層の露出された所定領域に直接接触するように形成されたポリシリコン層とを備えた、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/43

FI (1件)：

H01L 29/46 T 7376-4M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-281622
  
• 特開昭63-160244
  
• 特開昭62-188224
  
• 特開昭64-004069