特許
J-GLOBAL ID:201103013672734426
半導体素子、半導体装置及びそれらの作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-268976
公開番号(公開出願番号):特開2011-139055
出願日: 2010年12月02日
公開日(公表日): 2011年07月14日
要約:
【課題】チャネル長Lが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁表面上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は前記ゲート絶縁層との間に側壁を有し、
前記側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子。
IPC (5件):
H01L 29/786
, H01L 29/417
, H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 29/41
FI (9件):
H01L29/78 616T
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/50 M
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 617V
, H01L21/28 301B
, H01L29/44 S
, H01L29/44 L
Fターム (102件):
4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD62
, 4M104DD63
, 4M104DD64
, 4M104DD66
, 4M104DD71
, 4M104EE09
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF06
, 4M104FF09
, 4M104FF17
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH14
, 4M104HH20
, 5F110AA01
, 5F110AA09
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110BB06
, 5F110BB07
, 5F110BB08
, 5F110BB20
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE28
, 5F110EE30
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF05
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
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, 5F110HK02
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, 5F110HK06
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HM03
, 5F110HM14
, 5F110HM20
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN36
, 5F110QQ06
, 5F110QQ19
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