特許
J-GLOBAL ID：201103013681632695
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 隆 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-193518
公開番号（公開出願番号）：特開平3-058423
出願日： 1989年07月26日
公開日（公表日）： 1991年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】アルミニウムもしくはその合金よりなる下層配線膜上に絶縁膜を被着し、この絶縁膜の所定位置に前記下層配線膜に連通する層間接続孔を開口する接続孔形成工程と、フッ化金属ガスを還元して、この還元された金属からなる金属膜を前記層間接続孔内に選択的に堆積する金属埋込工程と、この層間接続孔内の金属膜を介して前記下層配線膜と電気的に接続された上層配線部を、前記絶縁膜上に形成する上層形成工程とを含んでなる半導体装置の製造方法において、前記接続孔形成工程に続いて、前記層間接続孔内に露出する前記下層配線膜表面に、シリコンをイオン注入して、シリコン注入層を形成する注入工程を加え、前記金属埋込工程では、このシリコン注入層を介して前記下層配線膜上に前記金属膜を堆積するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90 A 7514-4M
