特許

J-GLOBAL ID：201103013694374580

III族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置

発明者： 岡 徹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-095982
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228428
出願日： 2010年04月19日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】主面をm面とするIII 族窒化物半導体で構成されたHFETにおいて、正のしきい値電圧を高めること。【解決手段】HFET100は、凹凸加工されたa面サファイア基板101上に、m面を主面とするGaNからなるバッファ層102、ノンドープのGaNからなるチャネル層103、ノンドープのAlGaNからなる障壁層104、酸素ドープのn-AlGaNからなるキャリア供給層105を有している。キャリア供給層105は2つの領域に分離して形成されている。キャリア供給層105は、障壁層104上に選択的に再成長させて形成した層である。ゲート電極109にバイアスを印加しない状態では、ゲート電極109直下に2DEGが形成されないため、正のしきい値電圧を高めることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

c面以外の面を主面とするIII 族窒化物半導体で構成された半導体装置において、 前記c面以外の面を主面とするIII 族窒化物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層上に位置し、前記チャネル層よりもバンドギャップが大きいIII 族窒化物半導体からなる障壁層と、 前記障壁層上であって、n型不純物がドープされたIII 族窒化物半導体からなり、互いに離間する2つの領域上に選択的に再成長されて位置するキャリア供給層と、 2つの領域の一方の領域の前記キャリア供給層上に設けられ、前記チャネル層と電気的に接続した第1電極と、 2つの領域の他方の領域の前記キャリア供給層上に設けられ、前記チャネル層と電気的に接続した第2電極と、 2つの前記キャリア供給層に挟まれた領域であって、前記障壁層上に位置する制御電極と、 を備え、 前記障壁層の少なくとも前記制御電極下部の領域はノンドープである、 ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L27/04 G

Fターム (36件)：

5F038BG04 ,  5F038CA11 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL15 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT08 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15