特許
J-GLOBAL ID：201103013744569190

半導体発光素子

発明者：
山口 敦史

山口 敦史 について


出願人/特許権者：
学校法人金沢工業大学

学校法人金沢工業大学 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-201593
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054717
出願日： 2009年09月01日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子10(発光ダイオード)は、基板20と、基板20の上に結晶成長によって順に形成されたn型半導体層30、発光層40、p型半導体層50、n型半導体層30の上に設けられたn側電極60およびp型半導体層50の上に形成されたp側電極70を備える。基板20はAlN基板であり、基板面に垂直な方向に対してc軸が5°から15°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してc軸が40°から70°傾いた半極性基板である。発光層40は、n-Al0.8Ga0.2N層(量子井戸層)とAl0.9Ga0.1N層(バリア層)とが交互に3層ずつ積層された多重量子井戸構造(MQW)を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板面に垂直な方向に対してc軸が5°から15°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してc軸が40°から70°傾いた半極性基板である、AlN基板と、 前記AlN基板の上に形成され、n型クラッド層とp型クラッド層との間に設けられた量子井戸構造で構成される発光層と、 を備え、 前記量子井戸構造はAlGaN層(Al(x)Ga(1-x)N:0.75<x≦1)からなる量子井戸層を含み、 前記発光層は深紫外光を発光することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/06 ,  H01L 33/34 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/183
FI (4件)：
H01L33/00 112 ,  H01L33/00 188 ,  H01S5/343 610 ,  H01S5/183
Fターム (19件)：
5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F173AC03 ,  5F173AC14 ,  5F173AC52 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AR02
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM