特許

J-GLOBAL ID：201103013902512479

半導体光素子

発明者： 橋本 順一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-187795
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040632
出願日： 2009年08月13日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】上部クラッド層における電流の閉じ込め及び電界の閉じ込めを良好にすることが可能な半導体光素子を提供すること。【解決手段】半導体基板SBと、半導体基板SB上に設けられた半導体メサストライプMと、半導体メサストライプMを埋め込む埋込層30と、半導体メサストライプMと埋込層30との間に設けられ、誘電体材料からなる中間層20とを備え、下部クラッド層C1は第1ドーパントの添加により第1導電型を示し、上部クラッド層C2は第2ドーパントの添加により第2導電型を示し、埋込層30は第3ドーパントの添加により半絶縁性を示し、中間層20は上部クラッド層C2の側面F1と埋込層30との間に設けられ、中間層20は上部クラッド層C2の側面F1に接し、埋込層30は下部クラッド層C1の側面F3及びコア層10の側面F4に接している半導体光素子1。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた半導体メサストライプと、 前記半導体メサストライプを埋め込む埋込層と、 前記半導体メサストライプと前記埋込層との間に設けられ、誘電体材料からなる中間層と、を備え、 前記半導体メサストライプは、下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層を含み、 前記コア層は、前記半導体基板上において、前記下部クラッド層と前記上部クラッド層との間に設けられ、 前記下部クラッド層は、第1ドーパントの添加により第1導電型を示し、 前記上部クラッド層は、第2ドーパントの添加により第2導電型を示し、 前記埋込層は、第3ドーパントの添加により半絶縁性を示し、 前記中間層は、前記上部クラッド層の側面と前記埋込層との間に設けられ、 前記中間層は、前記上部クラッド層の前記側面に接し、 前記中間層は、前記半導体メサストライプの上端から前記上部クラッド層の下端までを覆い、 前記埋込層は、前記下部クラッド層の側面及び前記コア層の側面に接している、半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 ,  H01L 33/24

FI (2件)：

H01S5/227 ,  H01L33/00 174

Fターム (17件)：

5F041CA14 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F041CB11 ,  5F173AA26 ,  5F173AH07 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AJ23 ,  5F173AJ24 ,  5F173AJ30 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR24