特許

J-GLOBAL ID：201103014324711869

半導体集積回路装置

発明者： 大嶋 誠一
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-142605
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287860
出願日： 2009年06月15日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】半導体集積回路装置において、実動作に用いられる信号遅延パスにおける経年劣化の検出を可能とすること。【解決手段】半導体集積回路装置は、複数の信号遅延パスと、当該複数の信号遅延パスの間の遅延量の大小関係を計測してメモリに格納するとともに、当該複数の信号遅延パスについて計測された遅延量の大小関係と当該メモリに格納された遅延量の大小関係とが一致するか否かを判定し、両者が一致しない場合には、当該複数の信号遅延パスのいずれかにおいて遅延故障が生じた旨を出力する遅延故障検出回路と、を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の信号遅延パスと、 前記複数の信号遅延パスの間の遅延量の大小関係を計測してメモリに格納するとともに、前記複数の信号遅延パスについて計測された遅延量の大小関係と該メモリに格納された遅延量の大小関係とが一致するか否かを判定し、両者が一致しない場合には、前記複数の信号遅延パスのいずれかにおいて遅延故障が生じた旨を出力する遅延故障検出回路と、を備えている半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G01R 31/28

FI (2件)：

H01L27/04 T ,  G01R31/28 V

Fターム (17件)：

2G132AA00 ,  2G132AB04 ,  2G132AD07 ,  2G132AK07 ,  2G132AL11 ,  5F038BH20 ,  5F038CD09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038DT03 ,  5F038DT08 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ20