特許
J-GLOBAL ID:201103014411398760

基板メッキ装置及び基板メッキ方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-064371
公開番号(公開出願番号):特開2000-256897
特許番号:特許第3547336号
出願日: 1999年03月11日
公開日(公表日): 2000年09月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】基板に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置であって、メッキ層を形成する処理面を上方に向けて基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対して電気的に接続する陰電極と、前記基板保持手段を回転させる回転手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上部に電解メッキ液を貯留するメッキ反応槽と、前記メッキ反応槽に貯留された電解メッキ液に浸漬され、前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向配置される陽電極と、前記メッキ反応槽に電解メッキ液を供給する電解メッキ液供給手段と、前記陽電極から前記陰電極へ向けて電流が流れるように給電する給電手段と、を備え、 前記メッキ反応槽は、下方が開口され、前記基板保持手段の上部を覆う上部カップを備え、 前記基板保持手段と前記上部カップとを相対的に接離させる接離手段を備え、かつ、 前記メッキ反応槽への電解メッキ液の供給を継続しつつ、前記基板保持手段と前記上部カップとを所定量離間させて前記基板保持手段に保持された基板の周囲に電解メッキ液を排出するための隙間を形成し、前記基板保持手段を回転させながら、前記陽電極と前記陰電極との間に給電した状態で電解メッキ処理を行うことを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (5件):
C25D 17/00 ,  C25D 7/00 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/08 ,  C25D 21/10
FI (7件):
C25D 17/00 E ,  C25D 17/00 C ,  C25D 17/00 K ,  C25D 7/00 J ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/08 ,  C25D 21/10 302
引用特許:
審査官引用 (1件)

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