特許
J-GLOBAL ID：201103014425045959
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷 照一
, 大庭 咲夫
, 高木 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277755
特許番号：特許第3551821号
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】上層、中層及び下層の3層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能な可動部を形成する半導体装置の製造方法において、前記可動部の水平方向外側に位置する前記上層の一部を除去する上層除去工程と、前記上層の一部を除去した前記可動部の水平方向外側位置にて前記中層のウェットエッチングを行って、前記可動部をその直下にて前記中層から隔離するとともに同可動部の直下に位置する前記中層に突起を形成する突起形成工程と、この突起形成工程後に前記上層の一部を除去した前記可動部の水平方向外側直下に残った前記中層をドライエッチングにより除去する中層除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01C 19/56
