特許
J-GLOBAL ID：201103014531005222

光電変換装置及びその作製方法

発明者：
下村 明久

下村 明久 について

, 
加藤 翔

加藤 翔 について

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樋浦 吉和

樋浦 吉和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182024
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066400
出願日： 2010年08月17日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】新規の光電変換装置及び、その作製方法を提供する。【解決手段】透光性を有するベース基板110上に、透光性を有する絶縁層108と、複数の凹部が形成され、該絶縁層が該凹部に充填された単結晶半導体層121と、単結晶半導体層の表層または表面上に、交互に且つ重ならない様に形成された一導電型を有する帯状の複数の第1不純物半導体層123a、123c、123e及び一導電型とは逆の導電型を有する帯状の複数の第2不純物半導体層123b、123d、123fと、第1不純物半導体層に接する第1電極と、第2不純物半導体層に接する第2電極と、を有した光電変換装置とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性を有するベース基板と、 前記透光性を有するベース基板上に形成された透光性を有する絶縁層と、 前記透光性を有する絶縁層上に形成された単結晶半導体層と、 前記単結晶半導体層の表層に、帯状に複数設けられた一導電型を有する第1不純物半導体層と、 前記第1不純物半導体層と交互に、かつ重ならないように帯状に複数設けられた前記一導電型とは逆の導電型を有する第2不純物半導体層と、 前記第1不純物半導体層に接する第1電極と、 前記第2不純物半導体層に接する第2電極と、 を有し、 前記単結晶半導体層が前記透光性を有する絶縁層と接する側には、前記単結晶半導体層に複数の凹部が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 A
Fターム (3件)：
5F151AA02 ,  5F151DA10 ,  5F151GA14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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