特許

J-GLOBAL ID：201103014535910264

紫外線センサを有する半導体装置及びその作製方法

発明者： 齋藤 利彦 ,  上村 勇太
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-264030
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139045
出願日： 2010年11月26日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜を有するトランジスタと、 前記トランジスタのゲートに電気的に接続する電圧源を有し、 前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、 前記トランジスタのしきい値電圧の変化は前記酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、 前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133

FI (6件)：

H01L31/10 E ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/14 C ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

Fターム (113件)：

2H092GA62 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H189HA12 ,  2H189LA27 ,  2H189LA31 ,  2H189LA33 ,  4M118CA11 ,  4M118CB05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118GA10 ,  4M118GB05 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  5F049MA11 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA09 ,  5F049RA04 ,  5F049SS01 ,  5F049UA13 ,  5F049UA20 ,  5F049WA05 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN46 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表示装置および光センサ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-321715   出願人：ソニー株式会社
• 酸化ガリウム-酸化インジウム混晶の製造方法及び製造された混晶を用いた受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-208740   出願人：日本軽金属株式会社
• III族酸化物半導体を含む半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-101353   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 受光素子および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-332098   出願人：ソニー株式会社