特許
J-GLOBAL ID：201103014640833348
半導体装置用放熱板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中前 富士男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246080
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077252
特許番号：特許第3258298号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一面に酸化銅の結晶からなる黒染め被覆層を有する半導体装置用放熱板の製造方法において、銅系材料からなる条材に、半導体チップ搭載領域及び回路基板接合領域を備え、複数のタブで外枠に連接支持された複数の放熱板が並べて分離形成された中間加工材を、プレス加工又はエッチング加工により形成する形状加工工程と、前記中間加工材の一面に、前記放熱板を含む領域を被覆するストライプ状めっきレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記ストライプ状めっきレジスト膜が形成された前記中間加工材の露出部分にニッケルめっき層を形成する部分めっき形成工程と、部分的に前記ニッケルめっき層が形成された前記中間加工材から前記ストライプ状めっきレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、前記ストライプ状めっきレジスト膜が除去された前記中間加工材の表面に慣用の黒化処理法を用いて、前記ストライプ状めっきレジスト膜の除去部分に酸化銅の結晶からなるストライプ状の黒染め被覆層を形成する黒化処理工程とを有することを特徴とする半導体装置用放熱板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
