特許

J-GLOBAL ID：201103015168487887

リフトオフ装置およびリフトオフ処理方法

発明者： 久保 和樹
出願人/特許権者： 株式会社ソフ.エンジニアリング
代理人 (1件)： 橘 和之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-257540
公開番号（公開出願番号）：特開2011-103361
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水200中にシリコン基板100を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器20から純水200を介してシリコン基板100に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるIPAを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平板状のワークから、フォトレジストおよびその上に成膜された金属膜から成る被覆物をウェット環境で除去するリフトオフ装置であって、 上記フォトレジストに対して溶解性のない不溶解性液体が注入された液体容器内において、ステージ上に載置された上記ワークを上記不溶解性液体に浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器の超音波照射部から上記不溶解性液体を介して上記ワークに対して超音波を照射することによって上記金属膜の殆ど全てと上記フォトレジストの一部とを除去する金属膜除去部と、 上記金属膜の殆ど全てと上記フォトレジストの一部とが除去された状態のワークに対して、上記フォトレジストに対して溶解性のある溶解性液体によって上記ワークに残存している上記フォトレジストを除去するレジスト除去部とを備えたことを特徴とするリフトオフ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/304

FI (5件)：

H01L21/306 N ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 G ,  H01L21/304 642E ,  H01L21/304 643

Fターム (28件)：

4M104DD68 ,  4M104HH14 ,  5F033QQ41 ,  5F033XX21 ,  5F033XX34 ,  5F043AA22 ,  5F043BB15 ,  5F043BB27 ,  5F043DD19 ,  5F043EE05 ,  5F043EE08 ,  5F043GG02 ,  5F157AA46 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA76 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB44 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157BB73 ,  5F157BE12 ,  5F157CE07 ,  5F157CE08 ,  5F157CF06 ,  5F157DB41