特許
J-GLOBAL ID：201103015191944543
シリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-302599
特許番号：特許第4070353号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 カーボン坩堝の底部にシリコンカーバイド単結晶基板を配置しその上に単結晶又は多結晶のシリコンを充填した後に加熱して前記カーボン坩堝の内部にシリコン溶液を作成し、該溶液内に形成されたシリコンカーバイドを前記シリコンカーバイド単結晶基板上に液相成長させるエピタキシャル成長方法であって、
前記カーボン坩堝の上部から内部に、前記溶液に接触し又は浸るように予め多孔質カーボンを挿入し配置しておくことを特徴とするシリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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