特許

J-GLOBAL ID：201103015732388053

MOSFETのオーバーラップ長・オーバーラップ容量測定方法、測定装置および記録媒体

発明者： 為ヶ谷 幸夫 ,  熊代 成孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014953
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216258
特許番号：特許第3296315号
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の表面部または該表面部のウェル内に形成されたゲート長の異なる複数のMOSFETについて、ゲート-ソース・ドレイン間に直流バイアス電圧Vgおよび交流電圧を印加し、ゲート電圧としての前記直流バイアス電圧Vgを変化させてゲート-ソース・ドレイン間に流れる電流を計測し、該計測結果に基づいてゲート-ソース・ドレイン間容量Cgcとゲート電圧Vgとの関係を示す複数のCgc-Vg特性を求める第1の処理と、前記複数のCgc-Vg特性においてゲート長Lgに対する依存性が現れるゲート電圧Vgの値Vxを求め、かつ前記Cgc-Vg特性からゲート電圧値Vxでのゲート-ソース・ドレイン間容量Cgcの値Cxを求める第2の処理と、前記複数のCgc-Vg特性においてゲート-ソース・ドレイン間容量Cgcが飽和するゲート電圧Vgにおける各ゲート長Lgに対するゲート-ソース・ドレイン間容量Cgcを求めてプロットすることによりCgc-Lg特性を求める第3の処理と、前記第3の処理により求めたCgc-Lg特性のCgc軸切片よりフリンジ容量Cfを求める第4の処理と、前記Cgc-Lg特性においてCgc=Cxとなる点からフリンジ容量Cfに基づいてゲートとソースまたはドレインとなる拡散領域とのオーバーラップ領域におけるゲート長方向の長さであるオーバーラップ長ΔL及び前記オーバーラップ領域におけるゲートと前記拡散領域との間で形成されるオーバーラップ容量Covを求める第5の処理と、を有することを特徴とするMOSFETのオーバーラップ長・オーバーラップ容量測定方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 ,  G01R 27/26 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/00

FI (5件)：

G01R 27/26 C ,  G01R 31/26 G ,  H01L 21/66 V ,  H01L 29/00 ,  H01L 27/08 102 Z