絶縁ゲート型電界効果トランジスタの集積回路装置

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156210
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031550
特許番号：特許第3598363号
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体層表面に互いに離間して形成されたドレイン領域、ソース領域と、該ドレイン、ソース領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲートとを有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを複数個集積して成る集積回路装置であって;上記ゲート及び該ゲートに対する配線が炭化窒化ニオブ膜により構成されていること;上記半導体層は、上記集積回路装置の装置基板自体であるか、装置基板上に形成された半導体層であり;上記集積回路装置は、上記ゲート及び該ゲートに対する配線層が超電導状態に転移する超電導転移温度以下の極低温環境下で実働に供されること;上記装置基板上には上記極低温環境下で動作する複数個のジョセフソン素子を用いたジョセフソン集積回路が搭載されており;上記複数個のジョセフソン素子の少なくとも幾つかは、上記複数個の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの少なくとも幾つかと電気的に結合していること;を特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタの集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/3205 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 39/22

FI (5件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 39/22 ZAA A , H01L 27/08 102 D , H01L 21/88 M , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-045847
特開平1-135080
特開平3-139919

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