特許
J-GLOBAL ID：201103016074571945
プラズマドーピング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063747
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198983
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】被ドーピング材のエロージョンやレジスト材料の硬化を防止しつつ、高濃度且つコンフォーマルなプラズマドーピングを行う。【解決手段】ドーパントとなる不純物を含むガスからなるプラズマを用いてプラズマドーピングを行う。プラズマ発生用高周波電力及びバイアス用高周波電力の少なくとも一方をパルス状に供給する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
チャンバーと、前記チャンバー内に設けられ且つ被処理基板を保持する試料台と、ドーパントとなる不純物を含むガスを前記チャンバー内に供給するガス供給手段と、第1の高周波電力を供給して前記ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、第2の高周波電力を供給して前記試料台にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを備えたプラズマドーピング装置を用いて、前記被処理基板に前記不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
前記第1の高周波電力を間欠的に供給するか、又は前記第1の高周波電力として高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/265 F
, H01L21/22 E
